BSZ088N03MSGATMA1
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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies BSZ088N03MSGATMA1
| Artikelnummer: | BSZ088N03MSGATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Spezifikationen
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-
Infineon Technologies BSZ088N03MSGATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSZ088N03MSGATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 35W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 40A (Tc) Grundproduktnummer BSZ088 BSZ088N03MSGATMA1 Einzelheiten PDF [English] BSZ088N03MSGATMA1 PDF - EN.pdf -
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